解密爱康HJT电池工艺系列——非晶硅膜沉积
发布日期：2021/9/8
非晶硅膜沉积是HJT电池的核心工艺，该工艺主要是指利用 CVD 的方式来镀本征非晶硅层、P 型非晶硅层、N 型非晶硅层，因为 P-N 异质结是在 N 型晶硅衬底表面形成，并且沉积层决定钝化的效果，因此这一步骤是决定HJT 电池性能的关键。
工序介绍
在制绒清洗完毕的硅片正反面沉积非晶硅膜，正面沉积本征非晶硅膜和掺杂N型非晶硅膜，背面沉积本征非晶硅膜和掺杂P型非晶硅膜，制成PN结。
把制绒清洗工序下料的湿花篮，放入自动化内，通过传输结构把花篮内的硅片取出，排成一排，再通过吸嘴把一排硅片放入碳载板上，待载板放满后传输到N面工艺腔内进行镀膜工艺。
完成工艺后，相反方向，把载板上的硅片插入中转花篮内，通过机器人，把花篮翻面并放入传输线内，流入P面自动化内，流程与N面自动化一致。
完成P面工艺后，再插入干花篮内，待检验合格后流入下一道工序。
设备由应用材料提供，半导体级PECVD设备。
特点：设备内部自动化程度高，镀膜均匀可靠。
来源：爱康集团
